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MCZ

本装置は磁場印加チョクラルスキー法 (MCZ)によるシリコン単結晶引き上げ装置用の高磁場源として使われます。

MCZ


仕様
中心磁場(T) 室温ボア径(mm) 初期
冷却時間(hr)
励磁
速度
(min)
寸法 重量(kg)
v垂直 水平 外径(mm) 高さ(mm)
0.2 1,600 - 140 25 2,300 946 6,200


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住友重機械工業株式会社産業機器事業部